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AUIRS20302STR

AUIRS20302STR

참조 용

부품 번호 AUIRS20302STR
PNEDA 부품 번호 AUIRS20302STR
설명 IC GATE DRIVE AUTOMOTIVE 28SOIC
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 24,092
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 3 - 2월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AUIRS20302STR 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AUIRS20302STR
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
AUIRS20302STR, AUIRS20302STR 데이터 시트 (총 페이지: 28, 크기: 786.27 KB)
PDFAUIRS20302STR 데이터 시트 표지
AUIRS20302STR 데이터 시트 페이지 2 AUIRS20302STR 데이터 시트 페이지 3 AUIRS20302STR 데이터 시트 페이지 4 AUIRS20302STR 데이터 시트 페이지 5 AUIRS20302STR 데이터 시트 페이지 6 AUIRS20302STR 데이터 시트 페이지 7 AUIRS20302STR 데이터 시트 페이지 8 AUIRS20302STR 데이터 시트 페이지 9 AUIRS20302STR 데이터 시트 페이지 10 AUIRS20302STR 데이터 시트 페이지 11

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  • AUIRS20302STR Distributor

AUIRS20302STR 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈Automotive, AEC-Q100
구동 구성Half-Bridge
채널 유형3-Phase
드라이버 수6
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급24V ~ 150V
논리 전압-VIL, VIH0.7V, 2.5V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)200mA, 350mA
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)200V
상승 / 하강 시간 (일반)100ns, 35ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지28-SOIC

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구동 구성

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채널 유형

Single

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1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

4.7V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

85ns, 85ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

ISL6613IRZ-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-DFN (3x3)

ISL6700IR-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.4A, 1.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

80V

상승 / 하강 시간 (일반)

5ns, 5ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

12-VQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

12-QFN (4x4)

NCP5304DR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

85ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IXDN502D1

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 30V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

7.5ns, 6.5ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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