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AUIRS4426S

AUIRS4426S

참조 용

부품 번호 AUIRS4426S
PNEDA 부품 번호 AUIRS4426S
설명 IC DRIVER LOW SIDE DUAL 8SOIC
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,434
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AUIRS4426S 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AUIRS4426S
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
AUIRS4426S, AUIRS4426S 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 260.07 KB)
PDFAUIRS4426S 데이터 시트 표지
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  • AUIRS4426S Distributor

AUIRS4426S 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈Automotive, AEC-Q100
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급6V ~ 20V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.7V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)2.3A, 3.3A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)15ns, 25ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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시리즈

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구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

25V (Max)

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

2SB315B-FF800R12KE3

Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-1

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Single

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

0V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

MAX620CWN+T

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 16.5V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

1.7µs, 2.5µs

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

18-SOIC

EL7202CSZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

7.5ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

HIP4080AIP

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9.5V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.6A, 2.4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

95V

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

20-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

20-PDIP

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