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BA157-AP

BA157-AP

참조 용

부품 번호 BA157-AP
PNEDA 부품 번호 BA157-AP
설명 DIODE GPP 1A DO-41
제조업체 Micro Commercial Co
단가 견적 요청
재고 있음 2,100
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BA157-AP 리소스

브랜드 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BA157-AP
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
BA157-AP, BA157-AP 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 398.17 KB)
PDFBA159-TP 데이터 시트 표지
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BA157-AP 사양

제조업체Micro Commercial Co
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 40V
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)150ns
전류-역방향 누설 @ Vr-
커패시턴스 @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-41
작동 온도-접합-65°C ~ 125°C

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Global Power Technologies Group

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

6A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.65V @ 6A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

60µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

316pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

500V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 500V

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

RL107-N-0-3-AP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial, Radial Bend

공급자 장치 패키지

A-405

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

BY254GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 3A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

3µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

GI510-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 9.4A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

28pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

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