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BA782-HG3-18

BA782-HG3-18

참조 용

부품 번호 BA782-HG3-18
PNEDA 부품 번호 BA782-HG3-18
설명 RF DIODE PIN 35V SOD123
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 8,208
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 20 - 1월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BA782-HG3-18 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BA782-HG3-18
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
BA782-HG3-18, BA782-HG3-18 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 72.02 KB)
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  • BA782-HG3-18 Distributor

BA782-HG3-18 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)35V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F1.25pF @ 3V, 1MHz
저항 @ If, F700mOhm @ 3mA, 1GHz
전력 손실 (최대)-
작동 온도125°C (TJ)
패키지 / 케이스SOD-123
공급자 장치 패키지SOD-123

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현재-최대

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커패시턴스 @ Vr, F

0.26pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

14Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

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작동 온도

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제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

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다이오드 유형

PIN - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

75V

현재-최대

150mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

1.5Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

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패키지 / 케이스

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.4pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

4.5Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

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시리즈

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다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

70V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

35Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 3 Independent

전압-피크 역방향 (최대)

20V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

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작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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