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BA783-HE3-08

BA783-HE3-08

참조 용

부품 번호 BA783-HE3-08
PNEDA 부품 번호 BA783-HE3-08
설명 RF DIODE PIN 35V SOD123
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,168
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BA783-HE3-08 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BA783-HE3-08
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
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BA783-HE3-08 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)35V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F1.2pF @ 3V, 1MHz
저항 @ If, F1.2Ohm @ 3mA, 1GHz
전력 손실 (최대)-
작동 온도125°C (TJ)
패키지 / 케이스SOD-123
공급자 장치 패키지SOD-123

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150V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.25pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

1.25Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

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패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

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다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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SOT-23-3

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Broadcom

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Pin + Schottky 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

60V, 22V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.8pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

600mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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시리즈

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다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

70V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

75mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SC-79

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

30V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.5pF @ 0V, 100MHz

저항 @ If, F

50Ohm @ 1.5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

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