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BA783S-E3-18

BA783S-E3-18

참조 용

부품 번호 BA783S-E3-18
PNEDA 부품 번호 BA783S-E3-18
설명 RF DIODE PIN 35V SOD323
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 7,884
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 15 - 4월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BA783S-E3-18 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BA783S-E3-18
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
BA783S-E3-18, BA783S-E3-18 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 72.94 KB)
PDFBA783S-HE3-08 데이터 시트 표지
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BA783S-E3-18 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)35V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F1.2pF @ 3V, 1MHz
저항 @ If, F1.2Ohm @ 3mA, 1GHz
전력 손실 (최대)-
작동 온도125°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-76, SOD-323
공급자 장치 패키지SOD-323

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PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

500V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.7pF @ 100V, 1MHz

저항 @ If, F

300mOhm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

175°C (TJ)

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

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시리즈

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다이오드 유형

Schottky - 2 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.25pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

30V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.5pF @ 0V, 100MHz

저항 @ If, F

50Ohm @ 1.5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

HSMS-2800-TR1

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

70V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

35Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

시리즈

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

80V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.4pF @ 1V, 1MHz

저항 @ If, F

600mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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