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BA892H6770XTSA1

BA892H6770XTSA1

참조 용

부품 번호 BA892H6770XTSA1
PNEDA 부품 번호 BA892H6770XTSA1
설명 RF DIODE STANDARD 35V SCD80
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,708
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BA892H6770XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BA892H6770XTSA1
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF

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  • BA892H6770XTSA1 Distributor

BA892H6770XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 유형Standard - Single
전압-피크 역방향 (최대)35V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F1.1pF @ 3V, 1MHz
저항 @ If, F500mOhm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)-
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-80
공급자 장치 패키지SCD-80

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15V

현재-최대

750mA

커패시턴스 @ Vr, F

6.7pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

650mOhm @ 100mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

825mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-323

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Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

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다이오드 유형

PIN - 2 Independent

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

2.5Ohm @ 5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

0505 (1412 Metric)

공급자 장치 패키지

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Broadcom Limited

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다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

20V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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M/A-Com Technology Solutions

시리즈

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

115V

현재-최대

500mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.38pF @ 40V, 1MHz

저항 @ If, F

720mOhm @ 10mA, 1GHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

175°C (TJ)

패키지 / 케이스

2-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

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MA47222

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

150V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.09pF @ 10V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

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