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BA979-GS18

BA979-GS18

참조 용

부품 번호 BA979-GS18
PNEDA 부품 번호 BA979-GS18
설명 DIODE PIN 30V SOD80 QUADROMELF
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 5,418
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BA979-GS18 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BA979-GS18
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
BA979-GS18, BA979-GS18 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 94.81 KB)
PDFBA979S-GS08 데이터 시트 표지
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  • BA979-GS18 Distributor

BA979-GS18 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)30V
현재-최대50mA
커패시턴스 @ Vr, F0.5pF @ 0V, 100MHz
저항 @ If, F50Ohm @ 1.5mA, 100MHz
전력 손실 (최대)-
작동 온도125°C (TJ)
패키지 / 케이스SOD-80 Variant
공급자 장치 패키지SOD-80 QuadroMELF

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

70V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

200mW

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

175V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

1.35Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

500mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

HSMS-281F-BLKG

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

20V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

HBAT-540C-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

30V

현재-최대

430mA

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

825mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

UPP1002/TR13

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWERMITE®

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

1.6pF @ 100V, 1MHz

저항 @ If, F

1Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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