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BAP1321-03,115

BAP1321-03,115

참조 용

부품 번호 BAP1321-03,115
PNEDA 부품 번호 BAP1321-03-115
설명 RF DIODE PIN 60V 500MW SOD323
제조업체 NXP
단가
1 ---------- $1.2239
500 ---------- $1.1666
1,000 ---------- $1.1092
2,500 ---------- $1.0518
5,000 ---------- $1.0040
10,000 ---------- $0.9562
재고 있음 662
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예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAP1321-03 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAP1321-03,115
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
BAP1321-03, BAP1321-03 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 197.42 KB)
PDFBAP1321-03 데이터 시트 표지
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BAP1321-03 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)60V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F0.32pF @ 20V, 1MHz
저항 @ If, F1.3Ohm @ 100mA, 100MHz
전력 손실 (최대)500mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-76, SOD-323
공급자 장치 패키지SOD-323

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전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.25pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-363

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Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Common Anode

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

2.5Ohm @ 5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - PI Element

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

140mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.5pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

-

QSMS-8202-BLKG

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-피크 역방향 (최대)

-

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

HSMS-8209-TR2G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Cross Over

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.26pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

14Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

75mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

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