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BAR 65-02L E6327

BAR 65-02L E6327

참조 용

부품 번호 BAR 65-02L E6327
PNEDA 부품 번호 BAR-65-02L-E6327
설명 RF DIODE PIN 30V 250MW TSLP-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,592
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAR 65-02L E6327 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAR 65-02L E6327
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF

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BAR 65-02L E6327 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)30V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F0.8pF @ 3V, 1MHz
저항 @ If, F900mOhm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)250mW
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스SOD-882
공급자 장치 패키지PG-TSLP-2

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전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

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커패시턴스 @ Vr, F

0.25pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-323

HSMP-386J-TR2G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 4 Pair Parallel

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1.25pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

770mOhm @ 50mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

2W

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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시리즈

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다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

1V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

75mW

작동 온도

150°C (TJ)

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

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전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 3V, 100MHz

저항 @ If, F

1.2Ohm @ 3mA, 200MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SOD-80 Variant

공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.1pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

500mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

PG-SC79-2

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