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BAR 90-081LS E6327

BAR 90-081LS E6327

참조 용

부품 번호 BAR 90-081LS E6327
PNEDA 부품 번호 BAR-90-081LS-E6327
설명 RF DIODE PIN 80V 150MW TSSLP-8-1
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,596
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 20 - 2월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAR 90-081LS E6327 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAR 90-081LS E6327
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
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  • BAR 90-081LS E6327 Distributor

BAR 90-081LS E6327 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 유형PIN - 4 Independent
전압-피크 역방향 (최대)80V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F0.35pF @ 1V, 1MHz
저항 @ If, F800mOhm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)150mW
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스8-XFDFN
공급자 장치 패키지TSSLP-8-1

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커패시턴스 @ Vr, F

0.25pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

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전력 손실 (최대)

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커패시턴스 @ Vr, F

0.38pF @ 6V, 1MHz

저항 @ If, F

2Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

3W

작동 온도

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전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.1pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

700mOhm @ 3mA, 200MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

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다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

70V

현재-최대

15mA

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

-

HMPS-2822-TR2

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 2 Independent

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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