BAR8802LRHE6327XTSA1
참조 용
| 부품 번호 | BAR8802LRHE6327XTSA1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | BAR8802LRHE6327XTSA1 | ||||||||||||||||||
| 설명 | RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 92,719 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 1월 20 - 1월 25 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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BAR8802LRHE6327XTSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BAR8802LRHE6327XTSA1 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 다이오드-RF |
| 데이터 시트 |
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BAR8802LRHE6327XTSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | PIN - Single |
| 전압-피크 역방향 (최대) | 80V |
| 현재-최대 | 100mA |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 0.4pF @ 1V, 1MHz |
| 저항 @ If, F | 600mOhm @ 10mA, 100MHz |
| 전력 손실 (최대) | 250mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 패키지 / 케이스 | SOD-882 |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TSLP-2 |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky - Single 전압-피크 역방향 (최대) 4V 현재-최대 110mA 커패시턴스 @ Vr, F 0.35pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F - 전력 손실 (최대) 100mW 작동 온도 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 SC-76, SOD-323 공급자 장치 패키지 PG-SOD323-2 |
