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BAR8802LRHE6327XTSA1

BAR8802LRHE6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BAR8802LRHE6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BAR8802LRHE6327XTSA1
설명 RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $31.1127
100 ---------- $29.6543
250 ---------- $28.1959
500 ---------- $26.7375
750 ---------- $25.5221
1,000 ---------- $24.3068
재고 있음 92,719
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BAR8802LRHE6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAR8802LRHE6327XTSA1
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
BAR8802LRHE6327XTSA1, BAR8802LRHE6327XTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 889.45 KB)
PDFBAR 88-099LRH E6327 데이터 시트 표지
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  • BAR8802LRHE6327XTSA1 Distributor

BAR8802LRHE6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)80V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F0.4pF @ 1V, 1MHz
저항 @ If, F600mOhm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)250mW
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스SOD-882
공급자 장치 패키지PG-TSLP-2

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

1.15pF @ 30V, 1MHz

저항 @ If, F

500mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TA)

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143-4

BAR141E6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

140mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.5pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

SMP1352-005LF

Skyworks Solutions

제조업체

Skyworks Solutions Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

200V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

1.35Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TA)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

DME2458-000

Skyworks Solutions

제조업체

Skyworks Solutions Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

3V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

18Ohm @ 5mA, 40GHz

전력 손실 (최대)

75mW

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TA)

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BAT1503WE6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

110mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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