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BAS1603WE6327HTSA1

BAS1603WE6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BAS1603WE6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BAS1603WE6327HTSA1
설명 DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $32.4305
100 ---------- $30.9103
250 ---------- $29.3901
500 ---------- $27.8699
750 ---------- $26.6031
1,000 ---------- $25.3363
재고 있음 1
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BAS1603WE6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAS1603WE6327HTSA1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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  • BAS1603WE6327HTSA1 Distributor

BAS1603WE6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)80V
전류-평균 정류 (Io)250mA (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.25V @ 150mA
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)4ns
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 75V
커패시턴스 @ Vr, F2pF @ 0V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-76, SOD-323
공급자 장치 패키지PG-SOD323-2
작동 온도-접합150°C (Max)

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

40A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 125A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

9mA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AB

작동 온도-접합

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GeneSiC Semiconductor

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다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

70A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 70A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-5

작동 온도-접합

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FFB06U40STM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 6A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D²PAK

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

SB120E-G

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

110pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

작동 온도-접합

-65°C ~ 125°C

SS310LHM2G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

850mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

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