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BAS16HT1G

BAS16HT1G

참조 용

부품 번호 BAS16HT1G
PNEDA 부품 번호 BAS16HT1G
설명 DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,703,146
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAS16HT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAS16HT1G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
BAS16HT1G, BAS16HT1G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 158.12 KB)
PDFBAS16HT1 데이터 시트 표지
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BAS16HT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)200mA (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.25V @ 150mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)6ns
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F2pF @ 0V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-76, SOD-323
공급자 장치 패키지SOD-323
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

5095A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

990mV @ 4500A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

DO-200AA, A-PUK

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-40°C ~ 180°C

MR851RLG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

300ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

Axial

작동 온도-접합

-65°C ~ 125°C

20TQ035STRR

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

570mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2.7mA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

1400pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

RS1JLHM2G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

800mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 800mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

250ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

RFUS20TF6S

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.8V @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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