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BAS21HT1G

BAS21HT1G

참조 용

부품 번호 BAS21HT1G
PNEDA 부품 번호 BAS21HT1G
설명 DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 1,367,238
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 17 - 3월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAS21HT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAS21HT1G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
BAS21HT1G, BAS21HT1G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 168.11 KB)
PDFNSVBAS21HT3G 데이터 시트 표지
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BAS21HT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)250V
전류-평균 정류 (Io)200mA (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.25V @ 200mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F5pF @ 0V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-76, SOD-323
공급자 장치 패키지SOD-323
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.3V @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

80ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2.5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F-2L

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

GP2D005A120A

Global Power Technologies Group

제조업체

Global Power Technologies Group

시리즈

Amp+™

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

5A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 5A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

317pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220-2

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

1N6548

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

S3B R7G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.15V @ 3A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SBR3035

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

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