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BAS70XY,115

BAS70XY,115

참조 용

부품 번호 BAS70XY,115
PNEDA 부품 번호 BAS70XY-115
설명 DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V 6TSSOP
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 263,796
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAS70XY 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAS70XY,115
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열

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BAS70XY 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
다이오드 구성2 Pair Series Connection
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)70V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)70mA (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 15mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 70V
작동 온도-접합150°C (Max)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지6-TSSOP

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45V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

640mV @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 45V

작동 온도-접합

200°C (Max)

장착 유형

Through Hole

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 100V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Isolated Tab

공급자 장치 패키지

ITO-220AB

MBR2045CT-1

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

570mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 45V

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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GeneSiC Semiconductor

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-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 100A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2mA @ 20V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

660mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

600µA @ 60V

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