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BAT54GWJ

BAT54GWJ

참조 용

부품 번호 BAT54GWJ
PNEDA 부품 번호 BAT54GWJ
설명 DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 242,064
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAT54GWJ 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAT54GWJ
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
BAT54GWJ, BAT54GWJ 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 672.65 KB)
PDFBAT54GWX 데이터 시트 표지
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BAT54GWJ 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)30V
전류-평균 정류 (Io)200mA (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If400mV @ 10mA
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr2µA @ 25V
커패시턴스 @ Vr, F10pF @ 1V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-123
공급자 장치 패키지SOD-123
작동 온도-접합150°C (Max)

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전류-평균 정류 (Io)

700mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 700mA

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

5pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1.8A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.6V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

140ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

44pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-277A (SMPC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

3.1V @ 6A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

18ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

SlimDPAK

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

1N4006E-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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GeneSiC Semiconductor

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

80A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 80A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

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