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BAV70DXV6T1G

BAV70DXV6T1G

참조 용

부품 번호 BAV70DXV6T1G
PNEDA 부품 번호 BAV70DXV6T1G
설명 DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT563
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,750
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAV70DXV6T1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAV70DXV6T1G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
BAV70DXV6T1G, BAV70DXV6T1G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 130.41 KB)
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BAV70DXV6T1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성2 Pair Common Cathode
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)200mA (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.25V @ 150mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)6ns
전류-역방향 누설 @ Vr2.5µA @ 70V
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SOT-563

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 7.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

180µA @ 100V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Super Barrier

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

820mV @ 10A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 100V

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

공급자 장치 패키지

ITO-220AB

GSXD080A015S1-D3

Global Power Technologies Group

제조업체

Global Power Technologies Group

시리즈

-

다이오드 구성

2 Independent

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

80A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

880mV @ 80A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 150V

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227

SDT20100VCT

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 구성

-

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

작동 온도-접합

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MBRT30035R

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

300A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 150A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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Chassis Mount

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