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BB182,135

BB182,135

참조 용

부품 번호 BB182,135
PNEDA 부품 번호 BB182-135
설명 DIODE VHF VAR CAP 32V SOD523
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,622
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BB182 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BB182,135
분류반도체다이오드 및 정류기배 랙터 다이오드
데이터 시트
BB182, BB182 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 44.47 KB)
PDFBB182 데이터 시트 표지
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BB182 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
커패시턴스 @ Vr, F2.89pF @ 28V, 1MHz
커패시턴스 비율22
커패시턴스 비율 조건C1/C28
전압-피크 역방향 (최대)32V
다이오드 유형Single
Q @ Vr, F-
작동 온도-55°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-79, SOD-523
공급자 장치 패키지SOD-523

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

1.055pF @ 28V, 1MHz

커패시턴스 비율

16

커패시턴스 비율 조건

C0.5/C28

전압-피크 역방향 (최대)

32V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-882

공급자 장치 패키지

SOD-882T

BB565H7912XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2.2pF @ 28V, 1MHz

커패시턴스 비율

11

커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-80

공급자 장치 패키지

SCD-80

1SV305,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

6.6pF @ 4V, 1MHz

커패시턴스 비율

3

커패시턴스 비율 조건

C1/C4

전압-피크 역방향 (최대)

10V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

ESC

MV104

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

42pF @ 3V, 1MHz

커패시턴스 비율

2.8

커패시턴스 비율 조건

C3/C30

전압-피크 역방향 (최대)

32V

다이오드 유형

1 Pair Common Cathode

Q @ Vr, F

140 @ 3V, 100MHz

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

ZC932TC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

5.5pF @ 4V, 50MHz

커패시턴스 비율

-

커패시턴스 비율 조건

-

전압-피크 역방향 (최대)

12V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

200 @ 4V, 50MHz

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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CAP CER 0.1UF 50V X7R 0603