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BB804SF2E6327HTSA1

BB804SF2E6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BB804SF2E6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BB804SF2E6327HTSA1
설명 DIODE VAR CAP 18V 50MA SOT-23
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $0.4580
500 ---------- $0.4365
1,000 ---------- $0.4150
2,500 ---------- $0.3936
5,000 ---------- $0.3757
10,000 ---------- $0.3578
재고 있음 20,545
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BB804SF2E6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BB804SF2E6327HTSA1
분류반도체다이오드 및 정류기배 랙터 다이오드
데이터 시트
BB804SF2E6327HTSA1, BB804SF2E6327HTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 129.8 KB)
PDFBB 804 SF3 E6327 데이터 시트 표지
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BB804SF2E6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
커패시턴스 @ Vr, F47.5pF @ 2V, 1MHz
커패시턴스 비율1.71
커패시턴스 비율 조건C2/C8
전압-피크 역방향 (최대)18V
다이오드 유형1 Pair Common Cathode
Q @ Vr, F200 @ 2V, 100MHz
작동 온도-55°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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시리즈

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커패시턴스 @ Vr, F

0.2pF @ 10V, 1MHz

커패시턴스 비율

-

커패시턴스 비율 조건

-

전압-피크 역방향 (최대)

20V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

3000 @ 4V, 50MHz

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-XFDFN, FCDFN

공급자 장치 패키지

2-FlipChip

BBY40TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

6pF @ 25V, 1MHz

커패시턴스 비율

6.5

커패시턴스 비율 조건

C3/C25

전압-피크 역방향 (최대)

28V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

ZMV834ATC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

51.7pF @ 2V, 1MHz

커패시턴스 비율

6.5

커패시턴스 비율 조건

C2/C20

전압-피크 역방향 (최대)

25V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

200 @ 3V, 50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

48.1pF @ 2V, 1MHz

커패시턴스 비율

2

커패시턴스 비율 조건

C2/C8

전압-피크 역방향 (최대)

14V

다이오드 유형

1 Pair Common Cathode

Q @ Vr, F

150 @ 2V, 100MHz

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

SVC383T-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

27pF @ 6.5V, 1MHz

커패시턴스 비율

24.5

커패시턴스 비율 조건

C1/C6.5

전압-피크 역방향 (최대)

33V

다이오드 유형

1 Pair Common Cathode

Q @ Vr, F

200 @ 1V, 1MHz

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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