BB844E6327HTSA1
참조 용
| 부품 번호 | BB844E6327HTSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | BB844E6327HTSA1 |
| 설명 | DIODE VAR CAP 18V 50MA SOT-23 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,762 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BB844E6327HTSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BB844E6327HTSA1 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 배 랙터 다이오드 |
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BB844E6327HTSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | - |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 13pF @ 8V, 1MHz |
| 커패시턴스 비율 | 3.8 |
| 커패시턴스 비율 조건 | C2/C8 |
| 전압-피크 역방향 (최대) | 18V |
| 다이오드 유형 | 1 Pair Common Cathode |
| Q @ Vr, F | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-23-3 |
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제조업체 Skyworks Solutions Inc. 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F - 커패시턴스 비율 - 커패시턴스 비율 조건 - 전압-피크 역방향 (최대) - 다이오드 유형 - Q @ Vr, F - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 5.5pF @ 4V, 50MHz 커패시턴스 비율 - 커패시턴스 비율 조건 - 전압-피크 역방향 (최대) 12V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F 200 @ 4V, 50MHz 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-79, SOD-523 공급자 장치 패키지 SOD-523 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 5.45pF @ 4V, 1MHz 커패시턴스 비율 2.1 커패시턴스 비율 조건 C1/C4 전압-피크 역방향 (최대) 10V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F - 작동 온도 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-79, SOD-523 공급자 장치 패키지 ESC |
제조업체 Panasonic Electronic Components 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 2.287pF @ 25V, 1MHz 커패시턴스 비율 6.22 커패시턴스 비율 조건 C2/C25 전압-피크 역방향 (최대) 32V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F - 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-80 공급자 장치 패키지 SSMini2-F2 |
제조업체 Sprague-Goodman 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 10pF @ 4V, 50MHz 커패시턴스 비율 4.1 커패시턴스 비율 조건 - 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F 1800 @ 4V, 50MHz 작동 온도 -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23 |
