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BC559BU

BC559BU

참조 용

부품 번호 BC559BU
PNEDA 부품 번호 BC559BU
설명 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,938
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 29 - 12월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BC559BU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BC559BU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BC559BU, BC559BU 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 349.41 KB)
PDFBC560_J35Z 데이터 시트 표지
BC560_J35Z 데이터 시트 페이지 2 BC560_J35Z 데이터 시트 페이지 3 BC560_J35Z 데이터 시트 페이지 4 BC560_J35Z 데이터 시트 페이지 5 BC560_J35Z 데이터 시트 페이지 6 BC560_J35Z 데이터 시트 페이지 7 BC560_J35Z 데이터 시트 페이지 8 BC560_J35Z 데이터 시트 페이지 9 BC560_J35Z 데이터 시트 페이지 10

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BC559BU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce110 @ 2mA, 5V
전력-최대500mW
주파수-전환150MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

KSD1408GTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

30µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 500mA, 5V

전력-최대

25W

주파수-전환

8MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F

BST52,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.3V @ 500µA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

2000 @ 500mA, 10V

전력-최대

1.3W

주파수-전환

200MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SOT-89

BC32825_J35Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

ZTX755STZ

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 500mA, 5V

전력-최대

1W

주파수-전환

30MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E-Line-3, Formed Leads

공급자 장치 패키지

E-Line (TO-92 compatible)

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