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BC639

BC639

참조 용

부품 번호 BC639
PNEDA 부품 번호 BC639
설명 TRANS NPN 80V 1A TO-92
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,372
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BC639 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BC639
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BC639, BC639 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 57.15 KB)
PDFBC639 데이터 시트 표지
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BC639 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce40 @ 150mA, 2V
전력-최대625mW
주파수-전환200MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

800mV @ 600mA, 6A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 2A, 2V

전력-최대

50W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

55V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

750mV @ 40mA, 750mA

전류-수집기 차단 (최대)

15µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

35 @ 750mA, 4V

전력-최대

1.75W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-8

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

전력-최대

350mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

2SB1143T

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 100mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

전력-최대

1.5W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-126ML

2SA1020-Y(T6ND3,AF

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 2V

전력-최대

900mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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