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BC817-40,215

BC817-40,215

참조 용

부품 번호 BC817-40,215
PNEDA 부품 번호 BC817-40-215
설명 TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 2,938,452
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BC817-40 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BC817-40,215
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BC817-40, BC817-40 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 285.03 KB)
PDFBC817-40/SNVL 데이터 시트 표지
BC817-40/SNVL 데이터 시트 페이지 2 BC817-40/SNVL 데이터 시트 페이지 3 BC817-40/SNVL 데이터 시트 페이지 4 BC817-40/SNVL 데이터 시트 페이지 5 BC817-40/SNVL 데이터 시트 페이지 6 BC817-40/SNVL 데이터 시트 페이지 7 BC817-40/SNVL 데이터 시트 페이지 8 BC817-40/SNVL 데이터 시트 페이지 9 BC817-40/SNVL 데이터 시트 페이지 10 BC817-40/SNVL 데이터 시트 페이지 11

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BC817-40 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce250 @ 100mA, 1V
전력-최대250mW
주파수-전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지TO-236AB

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

255mV @ 50mA, 3.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 200mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

140MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E-Line-3, Formed Leads

공급자 장치 패키지

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

1.05W

주파수-전환

300MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

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SOT-223

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 2mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

3000 @ 1A, 5V

전력-최대

1W

주파수-전환

160MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E-Line-3

공급자 장치 패키지

E-Line (TO-92 compatible)

ZTX1051ASTOA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

210mV @ 100mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

10nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

155MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E-Line-3, Formed Leads

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Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 100mA, 5V

전력-최대

900mW

주파수-전환

120MHz

작동 온도

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