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BC847SE6327BTSA1

BC847SE6327BTSA1

참조 용

부품 번호 BC847SE6327BTSA1
PNEDA 부품 번호 BC847SE6327BTSA1
설명 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,096
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 20 - 12월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BC847SE6327BTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BC847SE6327BTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

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  • BC847SE6327BTSA1 Distributor

BC847SE6327BTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 5V
전력-최대250mW
주파수-전환250MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지PG-SOT363-6

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트랜지스터 유형

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전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 100µA, 1mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

전력-최대

350mW

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-78-6 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-78-6

DMC204B30R

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA, 500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V, 20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA / 400mV @ 20mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

210 @ 2mA, 10V / 200 @ 500mA, 2V

전력-최대

300mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

Mini6-G4-B

MMDT4124-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 1V

전력-최대

200mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

2N4854

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-78-6 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-78-6

HN4B01JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN, PNP (Emitter Coupled)

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 10MA, 100MA

전력-최대

100mW

주파수-전환

80MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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