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BC856A,215

BC856A,215

참조 용

부품 번호 BC856A,215
PNEDA 부품 번호 BC856A-215
설명 TRANS PNP 65V 0.1A SOT23
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 86,442
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BC856A 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BC856A,215
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BC856A, BC856A 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 201.76 KB)
PDFBC857C/DG/B3 데이터 시트 표지
BC857C/DG/B3 데이터 시트 페이지 2 BC857C/DG/B3 데이터 시트 페이지 3 BC857C/DG/B3 데이터 시트 페이지 4 BC857C/DG/B3 데이터 시트 페이지 5 BC857C/DG/B3 데이터 시트 페이지 6 BC857C/DG/B3 데이터 시트 페이지 7 BC857C/DG/B3 데이터 시트 페이지 8 BC857C/DG/B3 데이터 시트 페이지 9 BC857C/DG/B3 데이터 시트 페이지 10 BC857C/DG/B3 데이터 시트 페이지 11

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BC856A 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)65V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce125 @ 2mA, 5V
전력-최대250mW
주파수-전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지TO-236AB

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60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 8mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

4000 @ 4A, 3V

전력-최대

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20MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

700µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 1V

전력-최대

6W

주파수-전환

2MHz

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Diodes Incorporated

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

70V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

400 @ 500mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E-Line-3, Formed Leads

공급자 장치 패키지

E-Line (TO-92 compatible)

ZTX618STOB

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

255mV @ 50mA, 3.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 200mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

140MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E-Line-3, Formed Leads

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Toshiba Semiconductor and Storage

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-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 150mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1A, 1V

전력-최대

1W

주파수-전환

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