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BC857BLP4-7B

BC857BLP4-7B

참조 용

부품 번호 BC857BLP4-7B
PNEDA 부품 번호 BC857BLP4-7B
설명 TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006H4-3
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 7,686
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 27 - 3월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BC857BLP4-7B 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BC857BLP4-7B
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BC857BLP4-7B, BC857BLP4-7B 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 234.46 KB)
PDFBC857BLP4-7B 데이터 시트 표지
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  • BC857BLP4-7B Distributor

BC857BLP4-7B 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce220 @ 2mA, 5V
전력-최대250mW
주파수-전환100MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스3-XFDFN
공급자 장치 패키지X2-DFN1006-3

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

90 @ 10mA, 1V

전력-최대

125mW

주파수-전환

1.5GHz

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

전력-최대

150mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

공급자 장치 패키지

SC-75

FZT560TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

500V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 50mA, 10V

전력-최대

2W

주파수-전환

60MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223

BC517_D26Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 100µA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30000 @ 20mA, 2V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

BC859AMTF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

전력-최대

310mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

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