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BC857CW/DG/B2,135

BC857CW/DG/B2,135

참조 용

부품 번호 BC857CW/DG/B2,135
PNEDA 부품 번호 BC857CW-DG-B2-135
설명 TRANS GEN PURPOSE SC-70
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 3,438
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 19 - 2월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BC857CW/DG/B2 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BC857CW/DG/B2,135
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BC857CW/DG/B2, BC857CW/DG/B2 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 369.5 KB)
PDFBC857CW/MIX 데이터 시트 표지
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BC857CW/DG/B2 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce420 @ 2mA, 5V
전력-최대200mW
주파수-전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SC-70

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 600mA, 6A

전류-수집기 차단 (최대)

700µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 3A, 4V

전력-최대

2W

주파수-전환

3MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

CP336V-2N5551-CT20

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

160V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

전력-최대

-

주파수-전환

300MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

FMMT591ATA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 100mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

2N4402TF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

750mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 150mA, 2V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

495220TU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

325V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 5mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 3A, 5V

전력-최대

40W

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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