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BC858B,215

BC858B,215

참조 용

부품 번호 BC858B,215
PNEDA 부품 번호 BC858B-215
설명 TRANS PNP 30V 0.1A SOT23
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 320,790
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 20 - 4월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BC858B 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BC858B,215
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BC858B, BC858B 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 201.76 KB)
PDFBC857C/DG/B3 데이터 시트 표지
BC857C/DG/B3 데이터 시트 페이지 2 BC857C/DG/B3 데이터 시트 페이지 3 BC857C/DG/B3 데이터 시트 페이지 4 BC857C/DG/B3 데이터 시트 페이지 5 BC857C/DG/B3 데이터 시트 페이지 6 BC857C/DG/B3 데이터 시트 페이지 7 BC857C/DG/B3 데이터 시트 페이지 8 BC857C/DG/B3 데이터 시트 페이지 9 BC857C/DG/B3 데이터 시트 페이지 10 BC857C/DG/B3 데이터 시트 페이지 11

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BC858B 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce220 @ 2mA, 5V
전력-최대250mW
주파수-전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지TO-236AB

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

130 @ 150mA, 10V

전력-최대

1.2W

주파수-전환

120MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

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Microsemi

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시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

TSC5304EDCHC5G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 2.5A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

17 @ 1A, 5V

전력-최대

35W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

공급자 장치 패키지

TO-251 (IPAK)

2N5087

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 100µA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

40MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92

JAN2N2222AL

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

500mW

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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