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BCV28H6327XTSA1

BCV28H6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BCV28H6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BCV28H6327XTSA1
설명 TRANSISTOR AF SOT89-4
제조업체 Infineon Technologies
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재고 있음 2,160
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BCV28H6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BCV28H6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BCV28H6327XTSA1, BCV28H6327XTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 510.26 KB)
PDFBCV48E6327HTSA1 데이터 시트 표지
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  • BCV28H6327XTSA1 Distributor

BCV28H6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce20000 @ 100mA, 5V
전력-최대1W
주파수-전환200MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-243AA
공급자 장치 패키지SOT-89-3

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 500mA, 10V

전력-최대

800mW

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

350mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 100mA, 2V

전력-최대

730mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

430mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

180 @ 500mA, 2V

전력-최대

500mW

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 25mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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