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BCV65,215

BCV65,215

참조 용

부품 번호 BCV65,215
PNEDA 부품 번호 BCV65-215
설명 TRANS NPN/PNP 30V 0.1A SOT143B
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 7,578
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BCV65 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BCV65,215
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
데이터 시트
BCV65, BCV65 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 374.25 KB)
PDFBCV65 데이터 시트 표지
BCV65 데이터 시트 페이지 2 BCV65 데이터 시트 페이지 3 BCV65 데이터 시트 페이지 4 BCV65 데이터 시트 페이지 5 BCV65 데이터 시트 페이지 6 BCV65 데이터 시트 페이지 7 BCV65 데이터 시트 페이지 8 BCV65 데이터 시트 페이지 9 BCV65 데이터 시트 페이지 10 BCV65 데이터 시트 페이지 11

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BCV65 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형NPN, PNP (Emitter Coupled)
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce75 @ 2mA, 5V
전력-최대250mW
주파수-전환-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지SOT-143B

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제조업체

시리즈

-

트랜지스터 유형

7 NPN Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-20°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

ZXTD6717E6QTA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

VT6X2T2R

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전력-최대

150mW

주파수-전환

350MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD

공급자 장치 패키지

VMT6

BC847CDLP-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

전력-최대

350mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

X2-DFN1310-6 (Type B)

NSS40300DDR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

170mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

180 @ 1A, 2V

전력-최대

653mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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8-SOIC

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