BD676AS
참조 용
| 부품 번호 | BD676AS |
| PNEDA 부품 번호 | BD676AS |
| 설명 | TRANS PNP DARL 45V 4A TO-126 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 21,582 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BD676AS 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BD676AS |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
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BD676AS 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | PNP - Darlington |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 4A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 45V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 2.8V @ 40mA, 2A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 500µA |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 750 @ 2A, 3V |
| 전력-최대 | 14W |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-126-3 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1.5V @ 600mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대) 700µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 15 @ 3A, 4V 전력-최대 2W 주파수-전환 3MHz 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 350mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 5V 전력-최대 500mW 주파수-전환 150MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 |
