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BD677

BD677

참조 용

부품 번호 BD677
PNEDA 부품 번호 BD677_6B
설명 TRANS NPN DARL 60V 4A TO225
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,320
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 13 - 4월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BD677 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BD677
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BD677, BD677 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 138.15 KB)
PDFBD677 데이터 시트 표지
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BD677 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic2.5V @ 30mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대)500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce750 @ 1.5A, 3V
전력-최대40W
주파수-전환-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지TO-225AA

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 375mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1A, 4V

전력-최대

2W

주파수-전환

30MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

NPN - Avalanche Mode

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 10mA, 10V

전력-최대

680mW

주파수-전환

40MHz

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 1.5mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

2000 @ 2A, 2V

전력-최대

2W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220NIS

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제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 3A, 4V

전력-최대

80W

주파수-전환

3MHz

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

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