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BF1202R,215

BF1202R,215

참조 용

부품 번호 BF1202R,215
PNEDA 부품 번호 BF1202R-215
설명 MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,212
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 4 - 4월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BF1202R 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BF1202R,215
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BF1202R, BF1202R 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 177.61 KB)
PDFBF1202WR 데이터 시트 표지
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BF1202R 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel Dual Gate
주파수400MHz
이득30.5dB
전압-테스트5V
전류 정격 (Amps)30mA
소음 수치0.9dB
현재-테스트12mA
전원-출력200mW
전압-정격10V
패키지 / 케이스TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지SOT-143R

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제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

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이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

240W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT1275-3

공급자 장치 패키지

DFM6

ATF-36163-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

4GHz

이득

15.8dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

40mA

소음 수치

0.6dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

5dBm

전압-정격

3V

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

BLP10H690PGY

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1GHz

이득

18dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

1.4µA

소음 수치

-

현재-테스트

60mA

전원-출력

90W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

SOT-1224-2

공급자 장치 패키지

4-HSOPF

PTVA127002EVV1XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BLP10H605AZ

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

860MHz

이득

22.4dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

30mA

전원-출력

5W

전압-정격

104V

패키지 / 케이스

12-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

12-HVSON (6x4)

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