BF1202WR,135
참조 용
| 부품 번호 | BF1202WR,135 |
| PNEDA 부품 번호 | BF1202WR-135 |
| 설명 | MOSFET N-CH DUAL GATE 4DFP |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,424 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BF1202WR 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BF1202WR,135 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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BF1202WR 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel Dual Gate |
| 주파수 | 400MHz |
| 이득 | 30.5dB |
| 전압-테스트 | 5V |
| 전류 정격 (Amps) | 30mA |
| 소음 수치 | 0.9dB |
| 현재-테스트 | 12mA |
| 전원-출력 | - |
| 전압-정격 | 10V |
| 패키지 / 케이스 | SC-82A, SOT-343 |
| 공급자 장치 패키지 | CMPAK-4 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 500MHz 이득 17dB 전압-테스트 12.5V 전류 정격 (Amps) 2.5A 소음 수치 - 현재-테스트 50mA 전원-출력 3W 전압-정격 40V 패키지 / 케이스 PowerSO-10 Exposed Bottom Pad 공급자 장치 패키지 10-PowerSO |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.11GHz 이득 16.7dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.5A 전원-출력 50W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-780S 공급자 장치 패키지 NI-780S |
