BFG425W,115
참조 용
| 부품 번호 | BFG425W,115 |
| PNEDA 부품 번호 | BFG425W-115 |
| 설명 | RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,438 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BFG425W 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BFG425W,115 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
| 데이터 시트 |
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BFG425W 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 4.5V |
| 주파수-전환 | 25GHz |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz |
| 이득 | 20dB |
| 전력-최대 | 135mW |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 50 @ 25mA, 2V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 30mA |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SC-82A, SOT-343 |
| 공급자 장치 패키지 | CMPAK-4 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 12V 주파수-전환 6.7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz 이득 9dB 전력-최대 800mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 90 @ 30mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-243AA 공급자 장치 패키지 PCP |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 30V 주파수-전환 550MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz 이득 17dB ~ 23dB 전력-최대 100mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대) 20mA 작동 온도 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지 SSM |
제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 5.5V 주파수-전환 - 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz 이득 13.5dB ~ 15dB 전력-최대 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 2.7V 전류-수집기 (Ic) (최대) 40mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지 SC-70-3 |
