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BFG540,215

BFG540,215

참조 용

부품 번호 BFG540,215
PNEDA 부품 번호 BFG540-215
설명 RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,002
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 15 - 4월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BFG540 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BFG540,215
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
BFG540, BFG540 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 312.4 KB)
PDFBFG540/XR 데이터 시트 표지
BFG540/XR 데이터 시트 페이지 2 BFG540/XR 데이터 시트 페이지 3 BFG540/XR 데이터 시트 페이지 4 BFG540/XR 데이터 시트 페이지 5 BFG540/XR 데이터 시트 페이지 6 BFG540/XR 데이터 시트 페이지 7 BFG540/XR 데이터 시트 페이지 8 BFG540/XR 데이터 시트 페이지 9 BFG540/XR 데이터 시트 페이지 10 BFG540/XR 데이터 시트 페이지 11

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BFG540 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)15V
주파수-전환9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz
이득-
전력-최대400mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce60 @ 40mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대)120mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지SOT-143B

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제조업체

Infineon Technologies

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

4.7V

주파수-전환

42GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

이득

27dB

전력-최대

160mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 25mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

PG-SOT343-4

C1-28Z

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

AT-42086-BLKG

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

8GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz

이득

9dB ~ 13dB

전력-최대

500mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 35mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-86

공급자 장치 패키지

86 Plastic

SD1526-01

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

주파수-전환

960MHz ~ 1.215GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

9.5dB

전력-최대

21.9W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

M115

공급자 장치 패키지

M115

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

9GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz

이득

-

전력-최대

360mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB (SOT23)

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