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BFN39H6327XTSA1

BFN39H6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BFN39H6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BFN39H6327XTSA1
설명 TRANS PNP 300V 0.2A SOT223
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,988
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BFN39H6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BFN39H6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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  • BFN39H6327XTSA1 Distributor

BFN39H6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce30 @ 30mA, 10V
전력-최대1.5W
주파수-전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지PG-SOT223-4

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ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 100µA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

KSE171STU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.7V @ 600mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 100mA, 1V

전력-최대

1.5W

주파수-전환

50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

17.5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

350mV @ 25mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

10nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V

전력-최대

2.5W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223

MPSA28

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2DD1766P-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

32V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

800mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

82 @ 500mA, 3V

전력-최대

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