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BFP 650F E6327

BFP 650F E6327

참조 용

부품 번호 BFP 650F E6327
PNEDA 부품 번호 BFP-650F-E6327
설명 RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP
제조업체 Infineon Technologies
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BFP 650F E6327 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BFP 650F E6327
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
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BFP 650F E6327 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)4.5V
주파수-전환42GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득11dB ~ 21.5dB
전력-최대500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce110 @ 80mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대)150mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지4-TSFP

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주파수-전환

11GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.6dB @ 900MHz

이득

18dB

전력-최대

450mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40mA

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

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-

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

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-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

1.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

6.5dB @ 60MHz

이득

14dB @ 200MHz

전력-최대

350W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 8mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92

BFP740H6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

4.7V

주파수-전환

42GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

이득

27dB

전력-최대

160mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 25mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

SOT-343

MSC3930-BT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

주파수-전환

150MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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