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BFP410H6327XTSA1

BFP410H6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BFP410H6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BFP410H6327XTSA1
설명 RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,636
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 18 - 2월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BFP410H6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BFP410H6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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  • BFP410H6327XTSA1 Distributor

BFP410H6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)5V
주파수-전환25GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.2dB @ 2GHz
이득21.5dB
전력-최대150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce60 @ 13mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대)40mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지SOT-343

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이득

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전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

주파수-전환

1.09GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

7dB

전력-최대

910W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

28A

작동 온도

250°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

M216

공급자 장치 패키지

M216

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NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

4V

주파수-전환

16GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

5.2dB

전력-최대

250mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 2V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

MRF581A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3dB ~ 3.5dB @ 500MHz

이득

13dB ~ 15.5dB

전력-최대

1.25W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

90 @ 50mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Micro-X ceramic (84C)

공급자 장치 패키지

Micro-X ceramic (84C)

1090MP

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

주파수-전환

1.025GHz ~ 1.15GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

8.08dB ~ 8.5dB

전력-최대

250W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 500mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6.5A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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