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BFP540FESDH6327XTSA1

BFP540FESDH6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BFP540FESDH6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BFP540FESDH6327XTSA1
설명 RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 79,032
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BFP540FESDH6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BFP540FESDH6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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BFP540FESDH6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)5V
주파수-전환30GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
이득20dB
전력-최대250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 3.5V
전류-수집기 (Ic) (최대)80mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지4-TSFP

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NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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9GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz

이득

-

전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

18mA

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3V

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53GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.75dB @ 6GHz

이득

15.8dB

전력-최대

160mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

205 @ 2mA, 3V

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

6V

주파수-전환

4.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz

이득

-

전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 3mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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SOT-323

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

주파수-전환

600MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

KSC1674YTA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

주파수-전환

600MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

이득

-

전력-최대

250mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

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