BFP640FE6327
참조 용
| 부품 번호 | BFP640FE6327 |
| PNEDA 부품 번호 | BFP640FE6327 |
| 설명 | RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4TSFP |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,014 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 14 - 4월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BFP640FE6327 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BFP640FE6327 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
| 데이터 시트 |
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BFP640FE6327 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 4.5V |
| 주파수-전환 | 40GHz |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| 이득 | 23dB |
| 전력-최대 | 200mW |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 110 @ 30mA, 3V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 50mA |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 4-SMD, Flat Leads |
| 공급자 장치 패키지 | 4-TSFP |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 3.5V 주파수-전환 22.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 1.5dB @ 2GHz 이득 16dB 전력-최대 50mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대) 15mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-343F 공급자 장치 패키지 4-MCPH |
