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BG3123RE6327HTSA1

BG3123RE6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BG3123RE6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BG3123RE6327HTSA1
설명 MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,070
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BG3123RE6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BG3123RE6327HTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BG3123RE6327HTSA1, BG3123RE6327HTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 195.28 KB)
PDFBG3123RE6327HTSA1 데이터 시트 표지
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BG3123RE6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형2 N-Channel (Dual)
주파수800MHz
이득25dB
전압-테스트5V
전류 정격 (Amps)25mA, 20mA
소음 수치1.8dB
현재-테스트14mA
전원-출력-
전압-정격8V
패키지 / 케이스6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지PG-SOT363-6

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주파수

1.88GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37248-4

공급자 장치 패키지

H-37248-4

제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

860MHz

이득

22dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

18W

전압-정격

115V

패키지 / 케이스

TO-272BB

공급자 장치 패키지

TO-272 WB-4

MMBF5486

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

400MHz

이득

-

전압-테스트

15V

전류 정격 (Amps)

20mA

소음 수치

4dB

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.16GHz

이득

14.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.05A

전원-출력

23W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-270AB

공급자 장치 패키지

TO-270 WB-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

895MHz

이득

21.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.5A

전원-출력

70W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

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