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BG3430RE6327HTSA1

BG3430RE6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BG3430RE6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BG3430RE6327HTSA1
설명 MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,762
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 20 - 3월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BG3430RE6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BG3430RE6327HTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BG3430RE6327HTSA1, BG3430RE6327HTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 542.7 KB)
PDFBG3430RH6327XTSA1 데이터 시트 표지
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BG3430RE6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형2 N-Channel (Dual)
주파수800MHz
이득25dB
전압-테스트5V
전류 정격 (Amps)25mA
소음 수치1.3dB
현재-테스트14mA
전원-출력-
전압-정격8V
패키지 / 케이스6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지PG-SOT363-6

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

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-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

PTFB212503EL-V1-R0

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

18.1dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.85A

전원-출력

55W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-33288-6

공급자 장치 패키지

H-33288-6

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

54W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-880S

공급자 장치 패키지

NI-880S

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.3GHz ~ 2.4GHz

이득

17.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.74A

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.51GHz

이득

19.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

23W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

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