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BLF184XRGJ

BLF184XRGJ

참조 용

부품 번호 BLF184XRGJ
PNEDA 부품 번호 BLF184XRGJ
설명 RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 7,578
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF184XRGJ 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF184XRGJ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF184XRGJ, BLF184XRGJ 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 963.16 KB)
PDFBLF184XRGJ 데이터 시트 표지
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BLF184XRGJ 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수108MHz
이득23.9dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력700W
전압-정격135V
패키지 / 케이스SOT-1214C
공급자 장치 패키지LDMOST

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

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-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

J310RLRP

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

100MHz

이득

16dB

전압-테스트

10V

전류 정격 (Amps)

60mA

소음 수치

-

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

54W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-880S

공급자 장치 패키지

NI-880S

PTFA212401F V4 R250

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

15.8dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37260-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.8GHz ~ 1.88GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2A

전원-출력

65W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

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