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BLF2425M6L180P,112

BLF2425M6L180P,112

참조 용

부품 번호 BLF2425M6L180P,112
PNEDA 부품 번호 BLF2425M6L180P-112
설명 RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539A
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 4,248
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF2425M6L180P 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF2425M6L180P,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF2425M6L180P, BLF2425M6L180P 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 1,084.41 KB)
PDFBLF2425M6LS180P:11 데이터 시트 표지
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BLF2425M6L180P 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수2.45GHz
이득13.3dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트10mA
전원-출력180W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT539A
공급자 장치 패키지SOT539A

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28V

전류 정격 (Amps)

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소음 수치

-

현재-테스트

1.5A

전원-출력

33W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

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제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.2GHz ~ 1.4GHz

이득

17dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

500W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.8MHz ~ 400MHz

이득

26.4dB

전압-테스트

65V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

600W

전압-정격

179V

패키지 / 케이스

NI-780GS-4L

공급자 장치 패키지

NI-780GS-4L

BLF0910H9LS600J

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

900MHz ~ 930MHz

이득

18.6dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

90mA

전원-출력

600W

전압-정격

108V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

450MHz

이득

20dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

1000W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

NI-1230S

공급자 장치 패키지

NI-1230S

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