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BLF2425M6L180P,118

BLF2425M6L180P,118

참조 용

부품 번호 BLF2425M6L180P,118
PNEDA 부품 번호 BLF2425M6L180P-118
설명 RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539A
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 8,388
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 30 - 4월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF2425M6L180P 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF2425M6L180P,118
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF2425M6L180P, BLF2425M6L180P 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 1,084.41 KB)
PDFBLF2425M6LS180P:11 데이터 시트 표지
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BLF2425M6L180P 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수2.45GHz
이득13.3dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트10mA
전원-출력180W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT539A
공급자 장치 패키지SOT539A

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LDMOS

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-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

63W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

820MHz

이득

20.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2A

전원-출력

96W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

20dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

47W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-860C3

공급자 장치 패키지

NI-860C3

MRF372R3

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

857MHz ~ 863MHz

이득

17dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

17A

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

180W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-860C3

공급자 장치 패키지

NI-860C3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.35A

전원-출력

44W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

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