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BLF25M612,112

BLF25M612,112

참조 용

부품 번호 BLF25M612,112
PNEDA 부품 번호 BLF25M612-112
설명 RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 4,302
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF25M612 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF25M612,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF25M612, BLF25M612 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 975.39 KB)
PDFBLF25M612 데이터 시트 표지
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BLF25M612 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.45GHz
이득19dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트10mA
전원-출력12W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-975B
공급자 장치 패키지CDFM2

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STMicroelectronics

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

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870MHz

이득

16.2dB

전압-테스트

7.5V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

2W

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Formed Lead)

PTVA042502FC-V1-R0

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

H-37248-4

공급자 장치 패키지

H-37248-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.805GHz ~ 1.995GHz

이득

18.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

257W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780-2S2L

공급자 장치 패키지

NI-780-2S2L

BLF6G38-100,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

3.4GHz ~ 3.6GHz

이득

13dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

34A

소음 수치

-

현재-테스트

1.05A

전원-출력

18.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

3.55GHz

이득

10dB

전압-테스트

12V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

180mA

전원-출력

10W

전압-정격

15V

패키지 / 케이스

NI-360HF

공급자 장치 패키지

NI-360HF

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