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BLF3G22-30,112

BLF3G22-30,112

참조 용

부품 번호 BLF3G22-30,112
PNEDA 부품 번호 BLF3G22-30-112
설명 RF FET LDMOS 65V 14DB SOT608A
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 4,464
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF3G22-30 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF3G22-30,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF3G22-30, BLF3G22-30 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 1,117.63 KB)
PDFBLF3G22-30 데이터 시트 표지
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  • BLF3G22-30,112 Distributor

BLF3G22-30 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.17GHz
이득14dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)12A
소음 수치-
현재-테스트450mA
전원-출력6W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-608A
공급자 장치 패키지CDFM2

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-

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-

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680mA

전원-출력

56W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

NI-1230S

공급자 장치 패키지

NI-1230S

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz ~ 1.215GHz

이득

20dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

700W

전압-정격

106V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.81GHz

이득

17.9dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

74W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1110A

공급자 장치 패키지

NI1230-8

PD85050S

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

870MHz

이득

12dB

전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

55W

전압-정격

50V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

12.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

33W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

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