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BLF6G10LS-135RN:11

BLF6G10LS-135RN:11

참조 용

부품 번호 BLF6G10LS-135RN:11
PNEDA 부품 번호 BLF6G10LS-135RN-11_E3
설명 RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 7,524
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF6G10LS-135RN:11 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF6G10LS-135RN:11
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF6G10LS-135RN:11, BLF6G10LS-135RN:11 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 979.69 KB)
PDFBLF6G10-135RN 데이터 시트 표지
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BLF6G10LS-135RN:11 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수871.5MHz ~ 891.5MHz
이득21dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)32A
소음 수치-
현재-테스트950mA
전원-출력26.5W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502B
공급자 장치 패키지SOT502B

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제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.03GHz ~ 1.09GHz

이득

13dB

전압-테스트

36V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

200W

전압-정격

75V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

ATF-58143-TR1G

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Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

2GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

3V

전류 정격 (Amps)

100mA

소음 수치

0.5dB

현재-테스트

30mA

전원-출력

19dBm

전압-정격

5V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

SOT-343

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.63GHz ~ 2.69GHz

이득

17.4dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

45W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1120B

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.03GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

20W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

520MHz

이득

18.5dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

70W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

TO-270AB

공급자 장치 패키지

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